据韩媒报道，5 月 18 日，三星宣布已开始使用极紫外光刻设备量产 12 纳米级 16 Gb DDR5 DRAM。三星电子已成为业内率先开始大规模生产电路线宽为 12 纳米 (nm)（十亿分之一米）的 DRAM 半导体的公司。
图源：businesskorea
当世界顶级 DRAM 制造商三星应对超精细工艺技术的挑战时，排名第二和第三的 SK 海力士和美光已经大大缩小了差距。SK海力士计划年内量产12纳米级DRAM。而且，在数个独立DRAM单元堆叠的High Bandwidth Memory领域，甚至可以说已经超越了三星。
业界将 12-13 纳米 DRAM 归类为同代 (1b) 产品。然而，第一个推出 1b 的是美光，而不是三星。美光去年使用深紫外光刻设备成功开发出 13 纳米 DRAM。
一位业内人士评论说，“直到2020年，三星在DRAM方面被评估为领先竞争对手几个月。但现在竞争已经接近平局。”
NAND闪存领域的竞争更加激烈。NAND 市场的焦点已经从 20 纳米的精细加工转变为三维 (3D) 堆叠竞赛。尽管 3D NAND 最初是由 NAND 份额市场领导者三星透露，但中国的长江存储（排名第六，232 层）和美光（排名第五，232 层）率先堆叠了 200 层。三星随后推出了 236 层 NAND，但 SK 海力士（排名第 3）宣布已成功开发出更高的 238 层 NAND。
在此期间，日本首相岸田文雄会见了半导体公司的领导人，包括三星电子DS部门总裁韩钟熙和美光公司首席执行官Sanjay Mehrotra，寻求对日本的投资。首席执行官 Mehrotra 承诺向美光广岛工厂投资高达 5000 亿日元（约合 5 万亿韩元或 36 亿美元）以实施尖端设备。此前，日本媒体报道称，三星电子已决定在横滨投资超过 300 亿日元（约合 3000 亿韩元或 2.17 亿美元），建立一条先进的半导体器件原型线。
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