三星电子启动业界首款 12nm DRAM 量产

据韩媒报道,5 月 18 日,三星宣布已开始使用极紫外光刻设备量产 12 纳米级 16 Gb DDR5 DRAM三星电子已成为业内率先开始大规模生产电路线宽为 12 纳米 (nm)(十亿分之一米)的 DRAM 半导体的公司。

三星电子启动业界首款 12nm DRAM 量产
三星电子已开始量产的12纳米16Gb(千兆位)DDR5 DRAM
图源:businesskorea

当世界顶级 DRAM 制造商三星应对超精细工艺技术的挑战时,排名第二和第三的 SK 海力士和美光已经大大缩小了差距。SK海力士计划年内量产12纳米级DRAM。而且,在数个独立DRAM单元堆叠的High Bandwidth Memory领域,甚至可以说已经超越了三星。

业界将 12-13 纳米 DRAM 归类为同代 (1b) 产品。然而,第一个推出 1b 的是美光,而不是三星。美光去年使用深紫外光刻设备成功开发出 13 纳米 DRAM。

一位业内人士评论说,“直到2020年,三星在DRAM方面被评估为领先竞争对手几个月。但现在竞争已经接近平局。”

NAND闪存领域的竞争更加激烈。NAND 市场的焦点已经从 20 纳米的精细加工转变为三维 (3D) 堆叠竞赛。尽管 3D NAND 最初是由 NAND 份额市场领导者三星透露,但中国的长江存储(排名第六,232 层)和美光(排名第五,232 层)率先堆叠了 200 层。三星随后推出了 236 层 NAND,但 SK 海力士(排名第 3)宣布已成功开发出更高的 238 层 NAND。

在此期间,日本首相岸田文雄会见了半导体公司的领导人,包括三星电子DS部门总裁韩钟熙和美光公司首席执行官Sanjay Mehrotra,寻求对日本的投资。首席执行官 Mehrotra 承诺向美光广岛工厂投资高达 5000 亿日元(约合 5 万亿韩元或 36 亿美元)以实施尖端设备。此前,日本媒体报道称,三星电子已决定在横滨投资超过 300 亿日元(约合 3000 亿韩元或 2.17 亿美元),建立一条先进的半导体器件原型线。

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