三星电子启动业界首款 12nm DRAM 量产

据韩媒报道,5 月 18 日,三星宣布已开始使用极紫外光刻设备量产 12 纳米级 16 Gb DDR5 DRAM三星电子已成为业内率先开始大规模生产电路线宽为 12 纳米 (nm)(十亿分之一米)的 DRAM 半导体的公司。

三星电子启动业界首款 12nm DRAM 量产
三星电子已开始量产的12纳米16Gb(千兆位)DDR5 DRAM
图源:businesskorea

当世界顶级 DRAM 制造商三星应对超精细工艺技术的挑战时,排名第二和第三的 SK 海力士和美光已经大大缩小了差距。SK海力士计划年内量产12纳米级DRAM。而且,在数个独立DRAM单元堆叠的High Bandwidth Memory领域,甚至可以说已经超越了三星。

业界将 12-13 纳米 DRAM 归类为同代 (1b) 产品。然而,第一个推出 1b 的是美光,而不是三星。美光去年使用深紫外光刻设备成功开发出 13 纳米 DRAM。

一位业内人士评论说,“直到2020年,三星在DRAM方面被评估为领先竞争对手几个月。但现在竞争已经接近平局。”

NAND闪存领域的竞争更加激烈。NAND 市场的焦点已经从 20 纳米的精细加工转变为三维 (3D) 堆叠竞赛。尽管 3D NAND 最初是由 NAND 份额市场领导者三星透露,但中国的长江存储(排名第六,232 层)和美光(排名第五,232 层)率先堆叠了 200 层。三星随后推出了 236 层 NAND,但 SK 海力士(排名第 3)宣布已成功开发出更高的 238 层 NAND。

在此期间,日本首相岸田文雄会见了半导体公司的领导人,包括三星电子DS部门总裁韩钟熙和美光公司首席执行官Sanjay Mehrotra,寻求对日本的投资。首席执行官 Mehrotra 承诺向美光广岛工厂投资高达 5000 亿日元(约合 5 万亿韩元或 36 亿美元)以实施尖端设备。此前,日本媒体报道称,三星电子已决定在横滨投资超过 300 亿日元(约合 3000 亿韩元或 2.17 亿美元),建立一条先进的半导体器件原型线。

本文转载并注明其他来源的稿件,是本着为读者传递更多信息的目的,并不意味赞同其观点或证实其内容的真实性。如有疑问,请联系695036288@qq.com。

(0)
IC创客的头像IC创客管理员
上一篇 2023-05-20 22:43
下一篇 2023-05-22 10:23

相关推荐

  • FPGA市场格局再次酿变?

    近日,英特尔宣布计划将其可编程解决方案事业部(PSG)分拆为一家独立公司,并在未来两至三年内进行IPO。英特尔在公告中表示,PSG预计将在明年1月1日起开始独立运营,届时英特尔将继续提供支持。英特尔还表示,在发布2024年第一季度财报时,会把PSG作为独立业务部门进行报告。 2015年,英特尔以167亿美元收购当时的FPGA领域龙头企业Altera,随后形成…

    2023-10-17
    00
  • 杭州芯海半导体集成电路先进测试基地奠基仪式隆重举行

    2023年3月18日上午,杭州芯海半导体集成电路先进测试基地奠基仪式于杭州富阳隆重举行。 资料显示,芯海项目位于杭州市富阳区,总占地面积38029㎡,总建筑面积86717.84㎡,由1幢4层测试厂房、1幢3层动力站、1幢7层综合楼和1幢12层集成电路生产研发大楼及其他附属建筑组成。 今年2月,杭州芯海半导体科技有限公司集成电路测试先进基地项目(一期)参加浙江…

    2023-03-20
    00
  • 新上联半导体与临港集团推进半导体制造设备项目落地

    据上海临港官微消息,11月5日,“开放链世界 合作创未来”临港展示区进博集中签约仪式在国家会展中心(上海)举办。其中,新上联半导体与临港集团下属临港产业区公司在活动现场正式签署租赁协议。 根据协议,新上联半导体将租赁临港产业区厂房,推进落地半导体制造快速热氧化/快速热退火/等离子氮化 (ISSG RTO/RTA/DPN) 设备项目。项目核心团队在亚洲具有 1…

    2023-11-07
    00
  • Neo 半导体推出 3D X-DRAM,容量明显超过当前的 2D DRAM 解决方案

    据媒体报道,总部位于美国的 3D NAND 闪存厂商 Neo Semiconductor 近日推出了 3D X-DRAM 存储芯片,声称是全球首个采用类似于 3D NAND 的 DRAM,其容量明显超过当前的 2D DRAM 解决方案。 3D X-DRAM 存储的首个版本实现了 128 Gb,每个芯片 230 层,密度比目前的 2D DRAM 芯片高 8 倍…

  • 日本住友电工00亿日元新设厂房,将生产SiC晶圆

    据日媒报道,日本汽车供应商住友电气工业株式会社(简称“住友电工”)将开始生产用于下一代半导体的节能碳化硅晶圆,预计将使电动汽车的行驶里程延长10%。 据悉,住友电工计划投资约300亿日元(约合15.36亿人民币),用于在富山县建设新工厂,该工厂将在2027年开始大规模生产碳化硅晶圆,预计能够年产12万片6英寸晶圆,可用于电动汽车半导体,控制电机中的电流和电压…

    2023-07-31
    00

发表回复

登录后才能评论