当地时间8月8日，SK海力士在美国加州圣克拉拉举行的闪存峰会（FMS）2023上发布了全球最高的321层1Tb TLC 4D NAND闪存。
NAND闪存是一种即使断电也能保留数据的存储半导体。垂直堆叠数据存储单元以增加数据容量被认为是NAND闪存的核心竞争优势。SK海力士自今年5月开始生产迄今为止最高的NAND闪存，层数为238层。
SK海力士宣布将提升321层NAND闪存的完成率，并于2025年上半年开始量产。与上一代512Gb相比，321层NAND闪存的产能提高了59%。
近来，像ChatGPT这样的生成式人工智能的出现，引起了对高性能、大容量内存的需求急剧增加。因此，NAND闪存堆叠的竞争更加激烈。继SK海力士量产238层NAND闪存后，三星电子也开始量产236层，美光也开始量产232层。
SK海力士还推出了一款企业级SSD（eSSD），配备第五代PCIe接口和通用闪存（UFS）4.0，针对人工智能需求进行了优化。该公司还提到，已开始开发第6代PCIe和下一代UFS 5.0。
三星电子在FMS上展示了搭载第8代V-NAND的全新数据中心SSD产品PM9D3a。SSD 是一种利用 NAND 闪存的计算机存储设备。该产品读写性能较上一代提升一倍，能效提升60%。即使在炎热潮湿的环境下也能稳定运行。三星电子计划在今年内批量生产该产品。三星还推出了PM1743等适用于生成式AI服务器的SSD产品。
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