佳能推出纳米压印半导体制造设备,执行电路图案转移

10月13日,佳能宣布推出FPA-1200NZ2C纳米压印半导体制造设备,该设备执行电路图案转移,这是最重要的半导体制造工艺。

佳能推出纳米压印半导体制造设备,执行电路图案转移
FPA-1200NZ2C 图源:Canon

据悉,除了现有的光刻系统外,佳能还将采用纳米压印(NIL)技术的半导体制造设备推向市场,扩大其半导体制造设备阵容,以满足从最先进的半导体设备到现有设备的广泛需求。

佳能官方介绍称,其NIL技术可实现最小线宽14nm的图形化,相当于生产目前最先进的逻辑半导体所需的5nm节点。随着掩模技术的进一步改进,纳米压印光刻有望实现最小线宽为10nm的电路图案,相当于2nm节点。此外,新产品采用新开发的环境控制技术,可抑制设备内细颗粒污染,使精细复杂电路的形成成为可能,有助于制造尖端半导体器件。

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