SK海力士今日宣布已完成业界最先进的第五代10纳米工艺1bnm的开发，同时公司与英特尔开始联合评估1bnm并在英特尔数据中心认证的DDR5内存计划中进行验证针对英特尔至强可扩展平台的产品。
此举是在 SK 海力士成为业界第一个达到 1anm 准备就绪并完成英特尔对 10nm 技术的第四代 1anm DDR5 的系统验证之后发生的。
提供给英特尔的DDR5产品以6.4Gbps（千兆位/秒）的全球最快速度运行，与DDR5开发初期的试运行产品相比，数据处理速度提升了33%。
此外，1bnm DDR5产品采用high-K metal gate2工艺，比1anm DDR5产品功耗降低20%以上。
SK 海力士强调，最新 1bnm 技术的开发将使公司能够为其全球客户提供兼具高性能和每瓦性能的 DRAM 产品。
“在我们的 1anm 服务器 DDR5 产品与第四代英特尔® 至强® 可扩展处理器的兼容性成功验证后，SK 海力士预计 1bnm DDR5 产品与英特尔的验证过程能够顺利进行，”SK 海力士 DRAM 开发主管 Jonghwan Kim ， 说。
“随着内存市场将从下半年开始复苏的预期越来越高，我们相信我们行业领先的 DRAM 技术，这次通过 1bnm 工艺的量产再次证明，将帮助我们提高下半年的收益，”Kim并补充说，2024 年上半年 LPDDR5T 和 HBM3E4 等更广泛的产品将采用 1bnm 工艺。
英特尔内存和 IO 技术副总裁 Dimitrios Ziakas 博士说：“英特尔一直与内存行业合作，以确保 DDR5 内存在英特尔® 至强® 可扩展平台上的兼容性。SK 海力士 1bnm 是第一代针对下一代英特尔® 至强® 可扩展平台和英特尔数据中心认证内存计划的产品。
同时，SK 海力士还表示，将其 1anm DDR5 应用于下一代英特尔® 至强® 可扩展平台的额外验证过程也正在进行中，其中第一个兼容性测试已经完成。
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