碳化硅

11月10日，云南临沧鑫圆锗业股份有限公司（以下简称云南锗业）在投资者关系平台上答复投资者关心的问题，其中包括6英寸SiC（碳化硅）中试生产线及相关专利。 对于有投资者想了解公司6英寸SiC中试生产线前面是否还有小试生产线，云南锗业表示，上述研发项目前期已完成小试，目前中试线正处于建设过程中。 同时，有投资者对公司6英寸SiC项目相关专利申请及审批情况感兴趣…

2023年10月12日上午8点28分，乾晶半导体（衢州）有限公司碳化硅衬底项目中试线主厂房结顶仪式在智造新城东港八路78号一期地块隆重举行。 据悉，乾晶半导体碳化硅抛光衬底研发/中试项目，总占地面积22亩，总建筑面积约19000平方米，总投资约3亿元，计划建成碳化硅6/8英寸单晶生长和衬底加工的中试基地，是衢州市重点招商引资的“乾晶半导体（衢州）有限公司年产…

据外媒，日本电装株式会社(Denso)和三菱电机宣布，将分别投资5亿美元，入股美国半导体材料、网络及激光供应商Coherent的碳化硅（SiC）业务子公司Silicon Carbide，并分别取得12.5%股权（两家日企合计取得25%股权）。 据悉，Silicon Carbide主要从事SiC晶圆等产品的制造，是于2023年4月从Coherent公司分拆出来…

9月25日，谱析光晶、乾晶半导体、绿能芯创三方就进一步加强战略合作展开了深入的交流，并签订了三方战略合作协议。三方约定紧密配合、共同投入开发及验证应用于特殊领域的SiC相关产品，签约同时项目启动（9月），并签订了5年内4.5亿的意向订单。 绿能芯创CEO廖奇泊指出，国外碳化硅的头部公司多为全产业链一体化公司，如Wolfspeed，罗姆，安森美等，公司内部的产…

近日，安森美与博格华纳扩大碳化硅（SiC）方面的战略合作，协议总价值超10亿美元。博格华纳计划将安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模块中。 安森美提供高性能的 EliteSiC 技术，同时保持电动汽车主驱市场所需的高标准品质、高可靠性及供应稳定性。安森美拥有几十年的功率半导体产品设计、开发和制造经验，且已获大批量…

电动车飙速成长掀起第三代半导体缺货潮，科技大厂争相投资碳化矽（SiC）产业，以卡位汽车动力系统的主导权。业者指出，台厂第三代半导体基板业者，包括环球晶、汉民及广运等集团，可望从欧美日主导的供应链中突围，成为国际市场新宠。 根据国际能源总署（IEA）估计，今年全球新能源车出货量挑战1,400万辆、年增35％，在SiC供不应求压力下，科技大厂抢料风潮一触即发。 …

据“安塞宣传”公众号消息，中核纪元之光碳化硅材料生产项目目前已完成基础工程和厂房主体建设，正在进行装饰装修和设备进场前的准备工作，预计今年10月底项目正式投产使用。 据此前报道，中核纪元之光碳化硅材料生产项目是由中核汇能陕西（能源）有限公司投资建设，属省级新材料产业链重点项目，项目总投资6亿元。将新建年产50000片碳化硅衬底生产线，包括碳化硅粉料、高纯半绝…

据瑞萨电子官网消息，7月5日，瑞萨电子和Wolfspeed公司宣布双方达成了一项晶圆供应协议，并支付了20亿美元（USD）的保证金，确保Wolfspeed提供10年的碳化硅裸片和外延片供应承诺。 根据供应协议，Wolfspeed将自2025年起向瑞萨电子供应规模化生产的150mm碳化硅裸晶圆和外延片。Wolfspeed位于美国北卡罗来纳州的John Palm…

据Wolfspeed官方披露，其200mm（8英寸）莫霍克谷器件工厂向中国终端客户批量出货碳化硅MOSFET，首批供应的产品型号为 C3M0040120K，后续还将申请更多产品型号碳化硅器件的样品，并向中国批量出货。 据了解，Wolfspeed 在美国纽约州建造的莫霍克谷工厂是全球首座、最大且唯一的200毫米碳化硅器件制造工厂，于2022年4月正式启用，系 …

近年来，在下游需求带动下，碳化硅晶圆正在从6英寸开始向8英寸推进，更大的尺寸，意味着单片碳化硅晶圆能够制造出的芯片数量更多，晶圆边缘浪费减少，单芯片成本降低，推动产业链降本增效的效果明显。 面对这一行业趋势，2022年底，高测股份升级推出GC-SCDW8300型碳化硅切片机，对比上一代碳化硅切片机，可满足8英寸碳化硅晶片的切割需求，提升切割效率及出片率，降低…