海力士

当地时间8月8日，SK海力士在美国加州圣克拉拉举行的闪存峰会（FMS）2023上发布了全球最高的321层1Tb TLC 4D NAND闪存。 NAND闪存是一种即使断电也能保留数据的存储半导体。垂直堆叠数据存储单元以增加数据容量被认为是NAND闪存的核心竞争优势。SK海力士自今年5月开始生产迄今为止最高的NAND闪存，层数为238层。 SK海力士宣布将提升3…

据业内消息人士7月20日透露，在最近为主要机构投资者和证券分析师举行的私人企业简报（IR）上，SK海力士预计其两条产品线的规模将在2024年增长两倍以上。 由于人工智能需求激增，HBM 和 DDR5 的价格和需求不断增长。垂直连接多个DRAM的高性能内存HBM已知比现有DRAM产品贵5至6倍。最新的 DRAM 标准 DDR5 的价格也比其前身 DDR4 高出…

继英伟达之后，全球科技巨头实际上正在通过向 SK 海力士索取第五代高带宽内存 (HBM) HBM3E 样品来进行预订。 半导体业内人士7月3日报道称，全球各大科技巨头已陆续向SK海力士索取HBM3E样品。该名单包括 AMD、微软和亚马逊。 样品请求是下订单之前的强制性流程，旨在证明其 GPU、其他半导体芯片或云系统以及内存半导体之间的兼容性。这表明产品的良率…

据报道，AI 半导体的市场领导者 NVIDIA 已要求提供 SK 海力士目前正在开发的下一代高带宽内存 (HBM) 的样品。随着 SK 海力士巩固其作为 NVIDIA 重要合作伙伴的地位，预计它将引领下一代 DRAM 市场。 据业内人士6月14日消息，SK海力士收到NVIDIA要求提供HBM3E样品的请求，正在准备出货。HBM3E是目前最高规格的DRAM H…

SK 海力士日前宣布，继 2022 年 8 月开发完成后，其 238 层 4D NAND 闪存已开始量产，并且正在与全球智能手机制造商进行产品兼容性测试。 SK海力士表示，“SK海力士采用238层NAND技术，为智能手机和用作PC存储设备的客户端SSD开发了解决方案产品，并已于5月投入量产。” “鉴于公司在 238 层 NAND 和上一代 176 层 NAN…

SK海力士今日宣布已完成业界最先进的第五代10纳米工艺1bnm的开发，同时公司与英特尔开始联合评估1bnm并在英特尔数据中心认证的DDR5内存计划中进行验证针对英特尔至强可扩展平台的产品。 此举是在 SK 海力士成为业界第一个达到 1anm 准备就绪并完成英特尔对 10nm 技术的第四代 1anm DDR5 的系统验证之后发生的。 提供给英特尔的DDR5产品…

SK 海力士的 NAND 闪存解决方案子公司 Solidigm 于 5 月 16 日宣布，已任命 SK 海力士总裁 Noh Jong-won 和 Solidigm 副总裁 David M. Dixon 为 Solidigm 的新联席首席执行官。该决定是当地时间5月11日在美国召开的董事会会议上作出的。 自去年 10 月以来，Solidigm 董事会一直在寻找…

三星电子和 SK 海力士一直专注于扩大 DDR5 内存市场，以此作为从今年第一季度的巨额亏损中反弹的关键。由于大多数客户对购买上一代产品 DDR4 内存犹豫不决，分析师表示，增加 DDR5 内存的供应可以加快芯片制造商从半导体市场低迷中退出的速度。 5月1日，据半导体行业消息人士透露，在三星电子、SK海力士和美光这三大市场参与者中，SK海力士目前占据了服务器…

据报道，SK 海力士正在推迟其在中国大连的第二个 3D NAND 工厂的完工。DigiTimes援引韩国媒体报道称，这一决定是为了应对内存市场需求萎缩以及美国限制向中国出口先进晶圆厂工具。此外，由于向中国进口晶圆厂设备存在问题，SK海力士甚至可能在完成晶圆厂设备搬入之前出售晶圆厂外壳。 SK海力士于2021年接管英特尔的3D NAND生产和SSD业务，获得大…