吉利旗下晶能微电子首款车规级IGBT产品成功流片

吉利科技旗下浙江晶能微电子近期宣布,其自主设计研发的首款车规级 IGBT 产品成功流片。该款 IGBT 芯片采用第七代微沟槽栅和场截止技术,通过优化表面结构和 FS 结构,兼具短路耐受同时实现更低的导通/开关损耗,功率密度增大约 35%,综合性能指标达到行业领先水平。晶能与晶圆代工厂深度绑定,采用工艺共创方式持续提升芯片性能。

吉利旗下晶能微电子首款车规级IGBT产品成功流片

图片来源:吉利科技集团

晶能表示,一辆典型的新能源汽车芯片用量超过 1200 颗,功率半导体占比接近 1/4。公司将围绕动力总成系统中的开发需求,不断研制性能优越的芯片和模块产品。

IGBT 是现代电力电子中的主导型器件,被誉为电力电子行业里的 CPU。近期,也有行业开发者讨论将 Si IGBT 和 SiC MOS 封装在一起,形成混合并联模块的解决方案。未来,功率芯片和模块的创新应用场景会更加丰富。

晶能成立于2022年,聚焦于 Si IGBT&SiC MOS 的研制与创新,发挥“芯片设计 + 模块制造 + 车规认证”的综合能力,为新能源汽车、电动摩托车、光伏、储能、新能源船舶等客户提供性能优越的功率产品和服务。

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评论列表(1条)

  • 西西的头像
    西西 2023-03-17 09:48

    厉害了!