三星电子、SK 海力士加快 3D DRAM 商业化进程速

据businesskorea报道,总部位于韩国的全球 DRAM 领导者——三星电子和 SK 海力士——正在加速 3D DRAM 的商业化,据说这将改变内存行业的游戏规则。而在DRAM产业中排名第三的美光,自2019年就已经开始了3D DRAM的研究,获得的专利数量是这两家韩国芯片制造商的两到三倍。

3D DRAM是一种具有新结构的存储芯片,打破了当前陈旧的范式。现有的 DRAM 产品开发侧重于通过减小电路线宽来提高集成度,但随着线宽进入 10 纳米范围,电容器电流泄漏和干扰等物理限制显着增加。为了防止这种情况,引入了高介电常数(高K)沉积材料和极紫外(EUV)设备等新材料和设备。但半导体行业认为,微型化制造10纳米或更先进的芯片将对芯片制造商造成巨大挑战。

据韩国半导体行业消息人士3月12日消息,三星电子和SK海力士的主要半导体高管最近在半导体会议等一些官方活动中将3D DRAM作为克服DRAM微处理物理限制的一种方式。

“3D DRAM 被认为是半导体行业未来的增长动力,”三星电子半导体研究中心副总裁兼工艺开发办公室负责人 Lee Jong-myung 在 3 月 10 日于首尔 COEX 举行的 IEEE EDTM 2023 上表示负责SK海力士未来技术研究所的SK海力​​士副总裁Cha Seon-yong也在3月8日表示,“到明年左右,有关3D DRAM电气特性的细节将被披露,确定他们的发展方向。”

三星电子和SK海力士可能会加速3D DRAM技术的商业化。与现有的DRAM市场不同,3D DRAM市场并没有绝对的领导者,因此快速量产技术开发至关重要。还需要及时应对由于 ChatGPT 等人工智能 (AI) 的激活而导致的对高性能和大容量存储器半导体的需求增加。

3D DRAM 领域的技术竞争也在升温。据半导体技术分析公司 TechInsights 称,在内存半导体市场排名第三的美光正积极准备蓝海市场,到 2022 年 8 月将获得 30 多项 3D DRAM 专利技术。相比不到 15 项 DRAM三星电子持有的专利和 SK 海力士持有的大约 10 项专利,美光获得的 3D DRAM 相关专利是这两家韩国芯片制造商的两到三倍。三星电子和SK海力士分列全球DRAM市场第一和第二位。

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