中国半导体性单壁碳纳米管获突破

西北工业大学材料学院消息,该校教授赵廷凯团队对半导体性单壁碳纳米管的可控制备进行深入研究,提出一种新的多循环生长工艺,选择性合成的半导体性单壁碳纳米管丰度高达93.2%,产率从0.76%提高到1.34%,为大规模合成高纯度半导体性单壁碳纳米管提供了新方法。相关研究成果《通过催化剂再生多循环工艺生长高纯度与高产率半导体性单壁碳纳米管》正式发表于最新一期《化学工程》杂志。

西北工业大学运用新工艺技术,能够成功实现高纯度与高产率半导体性单壁碳纳米管的可控制备。该成果为大规模选择性生长高纯度半导体性单壁碳纳米管提供了有效手段和新思路,为半导体性单壁碳纳米管在纳米电子器件、信息通讯和生物医药等领域的广泛应用打下坚实基础。据了解,半导体性单壁碳纳米管具有原子级厚度、表面无悬键的准一维管状结构和高电子迁移率等优异电学性质,因而被视为10nm以下高性能、低功耗场效应晶体管沟道材料最有力候选。

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