东芝推出100V N沟道功率MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)日前宣布,推出采用东芝最新一代U-MOS X-H工艺制造而成的100V N沟道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款产品适用于数据中心和通信基站所用的工业设备电源线路上的开关电路和热插拔电路等应用,该产品于即日开始支持批量出货。

东芝推出100V N沟道功率MOSFET

TPH3R10AQM具有业界领先的3.1mΩ最大漏极-源极导通电阻,比东芝目前100V产品“TPH3R70APL”低16%[2]。通过同样的比较,TPH3R10AQM将安全工作区扩展了76%,使其适合线性模式工作。而且降低导通电阻和扩大安全工作区的线性工作范围可以减少并联连接的数量。此外,其栅极阈值电压范围为2.5V至3.5V,不易因栅极电压噪声而发生故障。

新产品采用高度兼容的SOP Advance(N)封装。未来,东芝将继续扩展其功率MOSFET产品线,通过减少损耗来提高电源效率,并帮助降低设备功耗。

 

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