台媒:电动车崛起碳化硅供不应求

电动车飙速成长掀起第三代半导体缺货潮,科技大厂争相投资碳化矽(SiC)产业,以卡位汽车动力系统的主导权。业者指出,台厂第三代半导体基板业者,包括环球晶、汉民及广运等集团,可望从欧美日主导的供应链中突围,成为国际市场新宠。

根据国际能源总署(IEA)估计,今年全球新能源车出货量挑战1,400万辆、年增35%,在SiC供不应求压力下,科技大厂抢料风潮一触即发。

继意法半导体携手三安光电合资SiC新厂后,车用晶片巨擘瑞萨因应日本甲府12吋功率半导体新厂将于2025年量产的目标,为确保长期供货来源,日前与Wolfspeed宣布签订20亿美元长约供应SiC晶圆,凸显「得基板者得天下」的竞争态势,并带动Wolfspeed上周大涨14.48%。

外电指出,三星电子也跨入第三代半导体,2025年将切入8吋氮化镓(GaN) 功率半导体代工服务。

目前第三代半导体由欧美日企业主导,惟台湾完整半导体产业链则是优势,也被视为是重要委外制造伙伴,目前台湾四大晶圆厂,皆有投入发展氮化镓(GaN)。另外也有众多集团积极投入第三代半导体领域,如汉民(汉磊、嘉晶)、中美晶(环球晶)、广运(太极、盛新)等,各自于长晶、晶圆代工甚至是长晶炉设备做发挥。此外,虹冠电挟强茂集团资源积极跨足,台亚、联合再生也喊出新的策略目标。

台湾第三代半导体基板厂由环球晶、汉磊及盛新三分天下,制造则由台积电、联电、世界先进、晶成及积亚等为主,国际IDM厂则为Wolfspeed、英飞凌、意法、ON Semi及ROHM等。

业者指出,第三代半导体包括SiC与GaN等宽能隙材料,较传统矽材料更能耐高温、高压及高频的特性。GaN元件常用于900V以下领域、SiC则适用于1200V以上电压,两者分别在低开关耗损、传导耗损上具备优势。SiC、GaN独特的物理特性,能帮助新能源汽车实现高频快充、长续航与轻量化的好处,因而成为市场新宠。

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