安森美总裁Hassane El-Khoury:封装技术助力碳化硅领域突破创新

11月8日,安森美总裁兼首席执行官Hassane El-Khoury来到北京,举办媒体交流会。在会议上,他与众多媒体代表共同探讨了碳化硅等宽禁带半导体产业的趋势洞察及技术创新。

安森美总裁Hassane El-Khoury:封装技术助力碳化硅领域突破创新

在快速发展的半导体市场中,宽禁带半导体材料,特别是碳化硅和氮化镓,已经成为功率器件领域增长最快的一部分。其中,碳化硅基于高热导率、高耐压性和高频率等特性,在电力电子、光电子和微波等领域得到广泛应用。会上,Hassane El-Khoury表示,安森美对碳化硅和氮化镓等宽禁带半导体材料都进行了大量的投入和研究,尤其是在碳化硅方面,旨在实现与整体市场同步甚至更高的市场增长。

为了在竞争激烈的市场中脱颖而出,业内多家公司都针对碳化硅技术开展了多种创新。据Hassane El-Khoury介绍,安森美公司在碳化硅封装方面有多项技术创新。首先,虽然碳化硅材料因其优良的热导率和耐高温特性而被广泛应用,然而,如果封装散热性能不佳,碳化硅材料就无法充分发挥其效能。因此,安森美通过优化封装设计和制造工艺,提高了碳化硅器件的散热性能,将热量快速提取并散发到周边环境中,从而保证了器件的高效运行。

其次,碳化硅和其他的宽禁带半导体材料的高温、高频运作特性,对寄生参数的优化提出了严格的要求。寄生电感较大会对整个器件的性能产生负面影响。因此,安森美通过封装技术来减少寄生电感,优化寄生参数。目前,这些应用了创新封装技术的产品已经在工业和电动汽车领域得到了广泛应用。

第三,碳化硅器件因为其宽禁带材料的特性,成为了高耐压、高频使用场景的理想选择。但其材料的高硬度,带来的物理层面的应力问题一直是行业面临的一大挑战。为了解决这一问题,安森美公司用独特的方法建立了芯片和3D封装之间相互影响的模型,从而减少器件内部的应力。

在宽禁带半导体领域,碳化硅的发展十分迅速,展现出了巨大的潜力和优势,但是传统功率半导体,包括IGBT等硅功率器件仍然占据着主导地位,难以被碳化硅完全替代。

据了解,碳化硅具有宽禁带、高热导率、高击穿场强等优点,使其在高温、高频及高功率应用场景中表现出色。然而,碳化硅的器件制造和封装工艺复杂,成本较高,限制了其广泛应用。相比之下,硅基功率器件具有成熟的制造工艺和低成本优势,被广泛应用于各类电子设备中。但其禁带宽度较小,限制了其在高温、高压环境下的性能。因此,安森美表示,碳化硅和硅基功率器件可以形成互补关系,甚至有客户还会选择两者同时使用。

在宽禁带半导体的另一种关键材料氮化镓方面,安森美也保持了密切的关注,未来可能会通过收购的方式拓展氮化镓业务。“尽管目前氮化镓的主要应用市场是笔记本电脑充电,但会密切关注在汽车和工业市场的应用前景。”Hassane El-Khoury说。

本文转载并注明其他来源的稿件,是本着为读者传递更多信息的目的,并不意味赞同其观点或证实其内容的真实性。如有疑问,请联系695036288@qq.com。

(0)
IC创客的头像IC创客管理员
上一篇 2023-11-10 16:41
下一篇 2023-11-10 17:01

相关推荐

  • 新思科技宣布与Arm深化合作,帮助客户快速开发专用芯片

    据外媒,新思科技(Synopsys)近日宣布,将与Arm扩大合作,为Arm Neoverse V2平台和Arm Neoverse计算子系统(CSS)等全新Arm技术提供优化的IP和EDA解决方案,帮助共同客户能够以更低的成本、更小的风险和更快的上市时间快速开发专用芯片。 据悉,新思科技已加入“Arm全面设计”(Arm Total Design)生态系统,将充…

    2023-11-02
    00
  • 三星第一季度营业利润暴跌九成,宣布将削减存储芯片产量

    当地时间周五,全球最大的存储芯片制造商三星公布了今年第一季度的初步财报数据,并宣布将削减存储芯片产量。 这表明,在自去年末以来存储芯片需求持续降温的背景下,这家最“头铁”的巨头也终于扛不住了。 财报显示,在截至今年3月的第一季度,三星营业利润同比骤降95%,至6000亿韩圆(约合4.5亿美元),低于分析师平均预期的1.4万亿韩圆。这是2009年全球金融危机以…

  • 京瓷计划加大对半导体相关业务投资,用于扩增IC基板、半导体制造设备业务产能

    据日经亚洲报道,日本被动元件大厂京瓷(Kyocera)计划今后 3 年间对半导体相关业务的投资4,000亿日元(约合29.1亿美元)。报道称,京瓷社长谷本秀夫于16日举行的线上中期营运计划说明会上宣布,今后3年期间(2023年度-2025年度)的设备投资额最高将达8,500亿日元,其中的4,000亿日元将用于半导体相关业务,对半导体的投资规模将达此前3年间(…

    2023-05-19
    00
  • Neo 半导体推出 3D X-DRAM,容量明显超过当前的 2D DRAM 解决方案

    据媒体报道,总部位于美国的 3D NAND 闪存厂商 Neo Semiconductor 近日推出了 3D X-DRAM 存储芯片,声称是全球首个采用类似于 3D NAND 的 DRAM,其容量明显超过当前的 2D DRAM 解决方案。 3D X-DRAM 存储的首个版本实现了 128 Gb,每个芯片 230 层,密度比目前的 2D DRAM 芯片高 8 倍…

  • 安徽芯泉半导体项目奠基,总投资3.8亿元

    据“五河发布”公众号消息,12月30日,安徽芯泉半导体科技有限公司项目正式开工建设。 据了解,安徽芯泉半导体项目由国内知名半导体专家团队共同投资建设,旨在推动安徽省及全国的半导体产业发展。项目总投资额达3.8亿人民币,占地面积超50亩,计划建设生产厂房30000余平。项目主要涵盖了半导体零部件的精密加工环节,主要应用于集成电路的生产制造领域。 在技术方面,芯…

    2024-01-02
    00

发表回复

登录后才能评论