斯达半导2022年年度董事会经营评述

斯达半导(603290)2022年年度董事会经营评述内容如下:

一、经营情况讨论与分析

2022年,公司实现营业收入270,549.84万元,较2021年同期增长58.53%,实现归属于上市公司股东的净利润81,764.29万元,较2021年同期增长105.24%,扣除非经常性损益的净利润76,235.69万元,较去年同期增长101.64%。同时,公司主营业务收入在各细分行业均实现稳步增长:(1)公司工业控制和电源行业的营业收入为110,633.51万元,较去年同期增长3.93%。(2)公司新能源行业营业收入为145,614.42万元,较去年同期增长154.81%。(3)公司变频白色家电及其他行业的营业收入为11,962.47万元,较去年同期增长99.19%。
2022年,公司生产的应用于主电机控制器的车规级IGBT模块持续放量,合计配套超过120万辆新能源汽车,其中A级及以上车型超过60万辆,同时公司在车用空调,充电桩,电子助力转向等新能源汽车半导体器件份额进一步提高。
2022年,公司车规级产品在海外市场取得进一步突破。公司车规级IGBT模块获得多家国际一线品牌Tier1定点,预计2023年开始大批量供货;公司车规级SiC模块开始在海外市场小批量供货。此外,搭载公司车规级IGBT模块的车型已远销欧洲、东南亚、南美等地区。
2022年,公司基于第六代TrenchFiedStop技术的650V/750V车规级IGBT模块新增多个双电控混动以及纯电动车型的主电机控制器平台定点,1200V车规级IGBT模块新增多个800V系统纯电动车型的主电机控制器项目定点,将对2024年-2030年公司新能源汽车IGBT模块销售增长提供持续推动力。
2022年,公司应用于乘用车主控制器的车规级SiCMOSFET模块开始大批量装车应用,同时公司新增多个使用车规级SiCMOSFET模块的800V系统的主电机控制器项目定点,将对公司2024-2030年主控制器用车规级SiCMOSFET模块销售增长提供持续推动力。
2022年,公司继续深耕光伏储能行业,进一步加强与光伏储能行业中全球知名企业合作,并成为多家全球Top10光伏储能企业的战略合作伙伴。公司使用自主芯片的单管IGBT和模块为户用型、工商业、地面电站和储能系统提供从单管到模块全部解决方案,已经成为全球光伏和储能行业的重要供应商。
2022年,公司基于第七代微沟槽TrenchFiedStop技术的新一代车规级650V/750VIGBT芯片通过客户验证并开始大批量供货;新一代车规级1200VIGBT芯片产品通过客户验证,芯片电流密度较上一代产品提升超过35%,预计2023年开始大批量供货。
2022年,公司基于第六代TrenchFiedStop技术的全平台系列IGBT产品在12英寸产线实现大批量生产,产品覆盖650V-1700V。12英寸IGBT芯片产量迅速提高。
2022年,公司基于第七代微沟槽TrenchFiedStop技术,针对光伏应用开发的新一代IGBT芯片通过客户验证,预计2023年开始批量供货。
2022年,公司基于第七代微沟槽TrenchFiedStop技术的新一代1200VIGBT芯片在12英寸研发成功,预计2023年开始批量供货。
2022年,公司SiC芯片研发及产业化项目顺利开展,使用公司自主芯片的车规级SiCMosfet模块预计2023年开始在主电机控制器客户批量供货。
2022年,公司持续丰富IPM产品线,产品在国内白色家电、工业变频器、伺服控制器等行业继续开拓,市场份额持续提高;同时,公司IGBT模块在大型水机空调,热泵,机房精密空调等领域持续放量,已成为多家全球头部客户的重要供应商。
2022年,公司海外业务取得快速发展,子公司斯达欧洲实现营业收入9,517.41万元,同比增长121.04%,预计2023年将继续保持高速增长势头。同时,公司位于纽伦堡的欧洲研发中心研发工作持续高效开展,公司对前沿芯片以及模块封装技术的持续探索是公司保持技术先进性的有力保障。
2022年,公司蝉联“福布斯中国创新力企业50强”称号;
2022年,公司荣获“2021年度浙江省科学技术进步奖”一等奖;
2022年,公司荣获弗迪动力有限公司颁发的“2021年度优秀供应商奖”;
2022年,公司荣获阳光电源(300274)颁发的“2022年度战略合作伙伴奖”;
2022年,公司荣获“中国智能电动汽车核心零部件百强”;
2022年,公司荣获华虹宏力半导体“卓越贡献客户”称号。
公司将继续坚持以市场为导向、以创新为驱动,以成为全球领先的功率半导体器件研发及制造商及解决方案提供商为目标,为客户创造更大价值,致力于成为世界顶尖的功率半导体制造企业。

二、报告期内公司所处行业情况

根据中国证监会《上市公司行业分类指引》(2012年修订),公司所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业,行业代码为“C39”;根据国家统计局发布的《国民经济行业分类(2017年修订)》(GB/T4754-2017),公司所属行业为半导体分立器件制造,行业代码为“C3972”。
半导体分立器件与集成电路共同构成半导体产业两大分支,近年来,半导体分立器件占全球半导体市场规模的比例基本稳定维持在18%-20%之间。
功率半导体器件是半导体分立器件的重要组成部分,主要用于电力设备的电能变换和电路控制,是进行电能处理的核心器件,弱电控制与强电运行间的桥梁,细分产品主要有IGBT、MOSFET、BJT等。随着世界各国对节能减排的需求越来越迫切,功率半导体器件已从传统的工业控制和4C(通信、计算机、消费电子、汽车)领域迈向新能源、新能源汽车、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多产业。功率半导体的发展使得变频设备广泛的应用于日常的消费,促进了清洁能源、电力终端消费、以及终端消费电子的产品发展。根据Omida的数据显示,2022年全球功率半导体市场规模为481亿美元,预计2024年市场规模将达到532亿美元;其中,2022年中国功率半导体市场规模为191亿美元,中国是全球最重要的功率半导体市场之一。
IGBT是目前发展最快的功率半导体器件之一。据YOLE数据显示,2021年IGBT的市场规模为63亿美元,受益于新能源汽车、新能源、工业控制等领域的需求大幅增加,预计2027年全球IGBT市场规模将达到93亿美元。中国是全球最大的IGBT市场,约占全球IGBT市场规模的40%。根据集邦咨询预测,到2025年,中国IGBT市场规模将达到522亿人民币,年复合增长率达19.11%,是细分市场中发展最快的半导体功率器件。
近年来,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等材料为代表的化合物半导体因其宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的性能而饱受关注。其中碳化硅功率器件受下游新能源汽车等行业需求拉动,市场规模增长快速。根据IHS数据,受新能源汽车行业庞大的需求驱动,以及光伏风电和充电桩等领域对于效率和功耗要求提升的影响,预计到2027年碳化硅功率器件的市场规模将超过100亿美元,2018-2027年的复合增速接近40%。

三、报告期内公司从事的业务情况

(一)主要业务、主要产品及其用途
公司主营业务是以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售。公司总部位于浙江嘉兴,在上海和欧洲均设有子公司,并在国内和欧洲均设有研发中心。
公司长期致力于IGBT、快恢复二极管等功率芯片的设计和工艺及IGBT、MOSFET、SiC等功率模块的设计、制造和测试,公司的产品广泛应用于工业控制和电源、新能源、新能源汽车、白色家电等领域。2022年,IGBT模块的销售收入占公司主营业务收入的82.92%,是公司的主要产品。IGBT作为一种新型功率半导体器件,是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品,是工业控制及自动化领域的核心元器件,其作用类似于人类的心脏,能够根据装置中的信号指令来调节电路中的电压、电流、频率、相位等,以实现精准调控的目的。因此,IGBT被称为电力电子行业里的“CPU”,广泛应用于新能源、新能源汽车、电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子等领域。
(二)经营模式
公司坚持以市场为导向,以技术为支撑,通过不断的研发创新,开发出满足客户需求的具有市场竞争力的功率半导体器件,为客户提供优质的产品和技术服务。
公司产品生产环节主要分为芯片和模块设计、芯片外协制造、模块生产三个阶段。
阶段一:芯片和模块设计。公司产品设计包含IGBT芯片、快恢复二极管等功率芯片的设计和功率模块的设计。本阶段公司根据客户对功率芯片关键参数的需求,设计出符合客户性能要求的芯片;根据客户对电路拓扑及模块结构的要求,结合功率模块的电性能以及可靠性标准,设计出满足各行业性能要求的功率模块。
阶段二:芯片外协制造。公司根据阶段一完成的芯片设计方案委托第三方晶圆代工厂如华虹、积塔等外协厂商外协制造自主研发的芯片,公司在外协制造过程中提供芯片设计图纸和工艺制作流程,不承担芯片制造环节。
阶段三:模块生产。模块生产是应用模块原理,将单个或多个如IGBT芯片、快恢复二极管等功率芯片用先进的封装技术封装在一个绝缘外壳内的过程。由于模块外形尺寸和安装尺寸的标准化及芯片间的连接已在模块内部完成,因此和同容量的器件相比,具有体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单、互换性好等优点。本阶段公司根据不同产品需要采购相应的芯片、DBC、散热基板等原材料,通过芯片贴片、回流焊接、铝线键合、测试等生产环节,最终生产出符合公司标准的功率模块。公司主要产品IGBT模块集成度高,内部拓扑结构复杂,又需要在高电压、大电流、高温、高湿等恶劣环境中运行,对公司设计能力和生产工艺控制水平要求高。
公司销售主要采取直销的方式进行销售,根据下游客户的分布情况,除嘉兴总部外在全国建立了多个销售联络处,并于瑞士设立了控股子公司斯达欧洲,负责国际市场业务开拓和发展。

四、报告期内核心竞争力分析

公司客户目前主要分布于新能源、新能源汽车、工业控制及电源、变频白色家电等行业,主要竞争对手均为国际品牌厂商。公司在与国际主要品牌厂商的竞争过程中,形成以下独特的竞争优势:
(一)技术优势
公司自成立以来一直以技术发展和产品质量为公司之根本,并以开发新产品、新技术为公司的主要工作,持续大幅度地增加研发投入,培养、组建了一支高素质的国际型研发队伍,涵盖了IGBT芯片、快恢复二极管芯片和IGBT模块的设计、工艺开发、产品测试、产品应用等,在半导体技术、电力电子、控制、材料、力学、热学、结构等多学科具备了深厚的技术积累。目前,公司已经实现自主IGBT芯片和快恢复二极管芯片的量产,以及IGBT和SiC模块的大规模生产和销售。
(二)快速满足客户个性化需求的优势
客户的个性化需求主要是对IGBT芯片特性及模块的电路结构、拓扑结构、外形和接口控制的个性化要求等。
公司拥有IGBT芯片及模块的设计和应用专家,并成立了专门的应用部,能够快速、准确地理解客户的个性化需求,并将这种需求转化成产品要求;同时,公司建立了将客户需求快速有效地转化成产品的新产品开发机制,目前公司已形成上百种个性化产品,这些个性化产品成为公司保持与现有客户长期稳定合作的重要基础;另外,与国际品牌厂商相比,公司采用了直销模式,直接与客户对接,从而进一步提升了服务客户的效率。
因此,与国外竞争对手相比,公司与下游客户的沟通更加便捷和顺畅,在对响应客户需求的速度、供货速度、产品适应性及持续服务能力等各方面都表现出优势。
(三)细分行业的领先优势
公司自成立以来一直专注于IGBT的设计研发、生产和销售。根据Omdia(原IHS)最新报告,公司2021年度IGBT模块的全球市场份额占有率国际排名第6位,在中国企业中排名第1位,是国内IGBT行业的领军企业。
公司一直以来紧跟国家宏观政策走向,布局细分市场。针对细分行业客户对IGBT模块产品性能、拓扑结构等的不同要求,公司开发了不同系列的IGBT模块产品,在新能源汽车、新能源发电、工业控制等细分市场领域形成了较大的竞争优势。在新能源汽车领域,公司已成功跻身于国内车规级IGBT模块的主要供应商之列,公司积极开拓海外市场已经获得了多家国外头部Tier1的定点,市场份额不断扩大;在新能源领域,公司已是国内多家头国内主流光伏逆变器客户、风电逆变器客户的主要供应商;在工业控制领域,公司目前已经成为国内多家头部变频器企业IGBT模块的主要供应商。
(四)先发优势
IGBT模块不仅应用广泛,且是下游产品中的核心器件,一旦出现问题会导致产品无法使用,给下游企业带来较大损失,替代成本较高,因此一般下游企业都会经过较长的认证期后才会大批量采购。国内其他企业进入IGBT模块市场需要面临长期较大的资金投入和市场开发的困难,公司的先发优势明显。随着公司生产规模的扩大,自主芯片的批量导入和迭代,在供货稳定性及产品先进性上的优势会进一步巩固,从而提高潜在竞争对手进入本行业的壁垒。
(五)人才优势
人才是半导体行业的重要因素,是功率半导体企业求生存、谋发展的先决条件。公司创始人为半导体行业技术专家,具备丰富的知识、技术储备及行业经验;公司拥有多名具有国内外一流研发水平的技术人员,多人具备在国际著名功率半导体公司承担研发工作的经历;公司的核心技术团队稳定,大多数人在本公司拥有十年以上的工作经验。专业的人才团队为公司的持续稳定发展奠定了良好基础,公司人才方面的优势为公司的持续发展提供了动力。
(六)合理的业务模式优势
公司选择了以直销为主、经销为辅的销售模式,可迅速了解客户需求,同时通过经销迅速拓张市场份额,提高市场声誉。此外,公司可以根据客户性质,灵活的选择直销和经销的维护方式,更好地服务客户。
公司芯片生产采取Fabess模式,减小了投资风险,并加快了产品推向市场的速度。虽然上述模式非创新模式,但是适合公司目前发展状态,有利于公司市场拓张和技术迭代速率。
(七)较强的市场开拓能力
公司坚定以“研发推动市场,市场反馈研发”的发展思路,形成研发与销售之间的闭环。该种良性循环使公司实现了一定技术积累的同时,具备了较强的市场开拓能力,实现了销售的快速增长。

五、报告期内主要经营情况

报告期内,公司实现营业收入270,549.84万元,较2021年同期增长58.53%,在各应用行业实现稳步增长,特别是新能源行业增幅达到154.81%,保持了良好的增长势头。公司实现归属于上市公司股东的净利润81,764.29万元,较2021年同期增长105.24%。

六、公司关于公司未来发展的讨论与分析

(一)行业格局和趋势
1.市场格局和发展趋势
a)功率半导体市场前景广阔
半导体分立器件与集成电路共同构成半导体产业两大分支,近年来,半导体分立器件占全球半导体市场规模的比例基本稳定维持在18%-20%之间。
功率半导体是半导体分立器件的重要组成部分,主要用于电力设备的电能变换和电路控制,是进行电能处理的核心器件,弱电控制与强电运行间的桥梁,细分产品主要有IGBT、MOSFET、BJT等。随着世界各国对节能减排的需求越来越迫切,功率半导体器件已从传统的工业控制和4C(通信、计算机、消费电子、汽车)领域迈向新能源、新能源汽车、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多产业。功率半导体的发展使得变频设备广泛的应用于日常的消费,促进了清洁能源、电力终端消费、以及终端消费电子的产品发展。根据Omida的数据显示,2022年全球功率半导体市场规模为481亿美元,预计2024年市场规模将达到532亿美元;其中,2022年中国功率半导体市场规模为191亿美元。
中国是全球最重要的功率半导体市场之一,在新基建的产业环境下,5G、新能源汽车、数据中心、工业控制等诸多产业对功率半导体产生了巨大的需求,随着功率半导体市场的持续发展与国产替代进程的加速,市场前景十分广阔。
b)IGBT需求增长迅速
IGBT作为能源变化和传输的核心器件,下游应用非常广泛。国家七大战略新兴产业中,IGBT是新能源汽车产业、新能源产业、节能环保产业、高端装备制造产业不可缺少的半导体器件,随着这些产业快速发展,为IGBT提供了更广阔的市场。
新能源汽车产业快速发展:2022年,全球新能源汽车销量达到1082.4万辆,同比增长61.6%,其中,中国新能源汽车销量达到688.4万辆。EVTank预计全球新能源汽车的销量在2025年和2030年将分别达到2542.2万辆和5212.0万辆,新能源汽车的渗透率持续提升并在2030年超过50%。
“双碳”战略背景下,新能源产业快速发展:(1)光伏行业快速发展:根据中国光伏行业协会(CPIA)的预测,2020年全球光伏装机容量为130GW,到2025年,全球新增光伏装机容量保守估计为270GW,乐观估计将达到330GW,年复合增速超过20%;(2)风电行业快速发展:根据GWEC报告,2020年全球新增风电装机量93GW,预计2021-2025全球将累计新增风电装机量469.3GW;(3)储能行业快速发展:根据彭博新能源财经最新发布的《全球能源存储展望》报告中显示,2020年末全球的在线大规模储能容量为17GW,且已有2620亿美元的投资用于正在建设中的345GW储能装置,到2030年累计安装量将达到358GW,是2020年16.5GW的20倍以上。
受益于新能源、新能源汽车等领域拉动,IGBT需求保持快速增长。据YOLE数据显示,2021年IGBT的市场规模为63亿美元,预计2027年全球IGBT市场规模将达到93亿美元,中国是全球最大的IGBT市场,约占全球IGBT市场规模的40%。集邦咨询预测,到2025年,中国IGBT市场规模将达到522亿人民币,年复合增长率达19.11%,是细分市场中发展最快的半导体功率器件。
c)以SiC为代表的化合物半导体迅速发展
SiC功率器件受下游新能源汽车等行业需求拉动,市场规模增长快速。根据IHS数据,受新能源汽车行业庞大的需求驱动,以及光伏风电和充电桩等领域对于效率和功耗要求提升的影响,预计到2027年碳化硅功率器件的市场规模将超过100亿美元,2018-2027年的复合增速接近40%。
2.国家政策及行业机遇
近年来,为了推动功率半导体行业尤其是IGBT产业健康快速发展,国家相关部门不断加大扶持力度。2015年5月,备受关注的《中国制造2025规划纲要》出台,将电力装备作为大力推动的重点领域之一。纲要提出要突破大功率电力电子器件、高温超导材料等关键元器件和材料的制造及应用技术,形成产业化能力。2016年3月全国两会发布“十三五规划”,针对功率器件行业:加强与整机产业的联动,以市场促进器件开发、以设计带动制造、推动“虚拟IDM”运行模式的发展;建设国家级半导体功率器件研发中心,实现从“材料-器件-晶圆-封装-应用”全产业链的研究开发;大力发展国产IGBT产业,促进SiC和GaN器件应用。2017年2月出台的《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录》,进一步明确功率半导体器件的地位和范围,IGBT等功率半导体器件被列入。2019年10月8日,工信部回复政协《关于加快支持工业半导体芯片技术研发及产业化自主发展的提案》称,下一步,将持续推进工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业发展,根据产业发展形势,调整完善政策实施细则,更好的支持产业发展。2021年1月29日,工信部印发《基础电子元器件产业发展行动计划(2021-2023年)》,明确提出要面向智能终端、5G、工业互联网、数据中心、新能源汽车等重点市场,推动基础电子元器件产业实现突破,并增强关键材料、设备仪器等供应链保障能力。2021年3月13日,中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要正式发布。规划支持集成电路先进工艺和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、微电机系统(MEMS)等特色工艺突破,碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展也被正式列入规划。2021年10月,国务院印发《2030年前碳达峰行动方案》,强调大力发展新能源。全面推进风电、太阳能发电大规模开发和高质量发展,坚持集中式与分布式并举,加快建设风电和光伏发电基地。到2030年,风电、太阳能发电总装机容量达到12亿千瓦以上。2021年12月,中央网络安全和信息化委员会印发《“十四五”国家信息化规划》。《规划》指出,加快集成电路关键技术攻关。推动计算芯片、存储芯片等创新,加快集成电路设计工具、重点装备和高纯靶材等关键材料研发,推动绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、微机电系统(MEMS)等特色工艺突破。
国家出台的一系列产业政策为我国功率半导体领域的快速发展提供了充分的保障,推动了我国功率半导体领域的技术进步和产业升级。以IGBT为代表的新型功率半导体器件,无论技术工艺还是市场销售都取得了很大的进步。随着“供给侧改革”、“节能环保”、“智能制造”、“工业互联网”等国家政策的强化、深入和落地,未来中国IGBT市场仍有很大的发展空间。
斯达半导将以IGBT技术为基础,不断突破和积累下一代以SiC、GaN器件为代表的宽禁带功率半导体器件的关键技术,大力发展车规级功率器件,不断创新,并进一步发挥在研发、生产、品牌、市场、渠道、人力资源等方面的综合竞争优势,向产业链上下游延伸发展,努力实现跨越式发展,以斯达技术助力中国制造2025,为国家节能减排、产业升级,以及建立绿色繁荣和谐社会做出更大贡献。
(二)公司发展战略
公司坚持以市场为导向、以创新为驱动,以成为全球领先的功率半导体器件研发及制造商及创新解决方案提供商为目标;以为客户创造更大价值,为人类创造美好生活为使命;坚持品质成就梦想,创新引领未来的价值观;以提高公司经济效益和为社会创造价值为基本原则,致力于成为世界顶尖的功率半导体制造企业。
首先,公司将始终坚持自主创新,加大研发投入,继续加大研发新一代IGBT芯片、快恢复二极管芯片以及其他芯片的力度,攻克新一批关键技术。
其次,公司将紧跟国家政策指引,加大新兴行业布局,重点针对新能源汽车、新能源发电、储能、变频白色家电等重点行业推出在制造工艺、电性能、功耗、可靠性等方面具有国际领先水平,在价格、品质、技术支持等方面具备较强国际竞争力的产品,进一步扩大公司产品的市场覆盖面,满足更多客户的市场需求。
最后,公司将完善功率半导体产业布局,在大力推广IGBT模块的同时,依靠自身的专业技术,研发其他前沿功率半导体器件,不断丰富自身产品种类,并坚定不移的努力将公司发展成为世界顶尖的功率半导体制造企业。
(三)经营计划
2023年,公司将围绕上述发展战略和方向,积极应对国际环境及竞争环境变化,立足现有基础和优势,继续扎根IGBT为代表的功率半导体行业,持续加大技术和产品研发投入,深耕现有市场,不断开拓新市场,持续提高市场占有率,积极推动公司稳定持续发展。具体情况如下:
1.持续发力新能源汽车及燃油汽车半导体器件市场
持续发力新能源汽车及燃油汽车半导体器件市场,在新能源汽车用驱动控制器领域为纯电动汽车、混动汽车、增程式汽车、燃料电池汽车等客户提供全功率段的车规级IGBT模块,并为高端车型提供成熟的车规级SiC模块,完善辅助驱动和车用电源市场的产品布局,为客户提供完善的辅助驱动和车用电源市场的产品;在燃油车用汽车电子市场,开发更多的燃油车用车规级功率器件。
2.继续深耕工业控制及电源行业
充分利用公司650V/750V、1200V、1700V自主芯片产品的性能优势、成本优势、交付优势,在变频器、电焊机、电梯控制器、伺服器、电源等领域持续发力,提高现有客户的采购份额,加大海外市场的开拓力度,突破海外头部客户,提高市场占有率。同时,继续坚持以技术为核心,加强和客户技术合作,不断研发出具有市场竞争力的产品。
3.加速开拓新能源市场
在“碳中和”目标和清洁能源转型的双重背景下,公司将抓住光伏发电、风力发电以及储能市场快速发展的历史机遇,把握核心半导体器件国产化加速的市场机会,不断提高市场份额。
4.持续推进变频白色家电市场
不断加强和主流家电厂商的合作,在商用空调和家用空调市场同时推进,根据市场需求推出更多具有竞争力的产品系列。
5.加速公司下一代IGBT芯片的研发和产业化
持续加大芯片研发力度,结合市场需求,进一步丰富基于第七代微沟槽TrenchFieldStop技术的IGBT芯片以及和相匹配的快恢复二极管芯片的产品系列。
6.持续加大宽禁带功率半导体器件的研发力度
持续加大研发投入,开发出更多符合市场需求的车规级SiC功率模块。同时,公司加大SiC功率芯片的研发力度,推出符合市场需求的自主的车规级SiC芯片。
7.开展3300V-6500V高压IGBT的研发
利用公司第六代FieldstopTrench芯片平台及大功率模块生产平台,加大高压IGBT芯片研发力度,推出应用于轨道交通和输变电等行业的3300V-6500V高压IGBT产品。
(四)可能面对的风险
1.宏观经济波动的风险
IGBT归属于半导体行业。半导体行业渗透于国民经济的各个领域,行业整体波动性与宏观经济形势具有一定的关联性。公司产品主要应用于新能源汽车、新能源、工业控制及电源、变频白色家电等行业,如果宏观经济波动较大或长期处于低谷,上述行业的整体盈利能力会受到不同程度的影响,从而对公司的销售和利润带来负面影响。
2.新能源汽车市场波动风险
根据中国汽车工业协会统计,2022年中国新能源汽车产销分别完成705.8万辆和688.7万辆,同比分别增长96.9%和93.4%,全球新能源汽车销量达到1082.4万辆,同比增长61.6%。新能源汽车继续保持稳定快速的增长势头,但新能源汽车市场作为一个新兴的市场,可能存在较大市场波动的风险。公司在此领域投入了大量研发经费,未来包括募集资金投资项目在内,仍将继续加大该领域投入,虽然公司新能源汽车模块销售数量持续保持高速增长,但未来如果产业政策变化、汽车供应链器件配套、相关设施建设和推广速度以及客户认可度等因素影响,导致新能源汽车市场需求出现较大波动,将会对公司的盈利能力造成不利影响。
3.汇率波动的风险
公司在海外的采购与销售业务,通常以欧元、瑞士法郎、美元等外币定价并结算,外汇市场汇率的波动会影响公司所持货币资金的价值,从而影响公司的资产价值。近年来国家根据国内外经济金融形势和国际收支状况,不断推进人民币汇率形成机制改革,增强了人民币汇率的弹性,但如果未来汇率出现大幅波动或者我国汇率政策发生重大变化,有可能会对公司的经营业绩产生一定的不利影响。

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  • 日本政府:力争到2030年半导体产业总销售额达15万亿日元

    共同社4月4日消息,日本经济产业省3日宣布国内半导体及相关部件材料制造商总销售额的目标,力争到2030年达到相当于现在约3倍的15万亿日元(约合人民币7760亿元)。 日本经产省介绍称,2020年总销售额为约5万亿日元,在全球市场占到约10%的份额。经产省预测市场规模在数字化进程下将在2030年达到2020年的2倍,提出进一步推动国产化、增加销售额的目标。日…

  • 三星称期高带宽内存 (HBM) 产品市场份额仍超过 50%

    三星电子负责半导体业务的 DS 部门总裁 Kyung Kye-hyun 表示,“三星高带宽内存 (HBM) 产品的市场份额仍超过 50%”,他驳斥了有关该公司内存竞争力正在下降的担忧。 。这是在 7 月 5 日每周三举行的员工内部沟通活动期间发生的。 这与TrendForce预测2023年SK海力士、三星电子和美光将分别占据全球HBM市场53%、38%和9%…

    2023-07-08
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