日前， 纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）发布全新 GaNSense Control 合封氮化镓功率芯片，带来前所未有的高集成度和性能表现。
氮化镓是相比传统高压 ( HV ) 硅 ( Si ) 功率半导体有着重大升级的下一代半导体技术，同时还减少了提供相同性能所需的能源和物理空间。采用了氮化镓的充电器，能在尺寸和重量减半的前提下，实现高达 3 倍的功率处理能力或快 3 倍的充电能力。在电源系统中，一个优化的高频低压 ( LV ) 硅系统控制器必不可少。纳微不仅开发了这样的控制器还将其与其高性能的氮化镓芯片集成在一起，推出了业界首创的 GaNSense Control 合封氮化镓功率芯片技术。
初代 GaNSense Control 合封氮化镓功率芯片系列具有高频准谐振 ( HFQR ) 反激，支持 QR、DCM、CCM 和多频率、混合模式运行，频率高达 225 kHz。从单个采用表面贴片的 QFN 封装（NV695x 系列）到以芯片组 ( NV9510x + NV61xx ) ，可最大化电路设计的灵活性。在副边，与传统整流器相比，集成了同步整流器 ( SR ) 的氮化镓功率芯片 ( NV97xx ) ，可在任何负载条件下实现最大效率。
GaNSense Control 合封芯片集成了无损电流检测、高压启动、抖频、低待机功率、宽 Vdd 输入电压的特性，能在元件更少，无电流采样电阻热点的前提下，带来小巧、高效、温控更优的系统。此外，一系列的集成保护功能包括800V 瞬态电压击穿、2kV ESD及智能的过压、过流、过温保护带来了更稳固的功率芯片和可靠的电源系统。
GaNSense Control 合封氮化镓功率芯片将率先覆盖20-150W 的智能手机、平板电脑和笔记本电脑充电器，消费电子和家用电器、销售终端机、大功率数据中心和 400V 电动汽车系统中的辅助电源。目前，发货量已经超过 100 万片。
” 我们将高频、模拟和混合信号的硅控制器，战略性地加入到与现有的氮化镓、碳化硅和数字隔离技术平台中去，为更优的电源系统奠定了设计基础，增加了每年 10 亿美元的市场机遇。我们先为 GaNSense Control 合封氮化镓功率芯片锚定了移动快充、家用电器以及数据中心辅助电源的市场方向。未来，我们将扩大版图至更高功率的清洁能源、储能和电动汽车领域。纳微半导体在这些市场中具备独有的优势——凭借先进的系统设计中心，影响客户的系统架构选择。由此，无论在下一代功率半导体中选择氮化镓还是碳化硅，我们都将具备最大化系统优势。”
——纳微半导体联合创始人兼首席技术官
首席运营官 Dan Kinzer
关于纳微半导体
纳微半导体（纳斯达克股票代码 : NVTS）成立于 2014 年，是唯一一家全面专注下一代功率半导体事业的公司。GaNFast 氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制、感应及保护集成在一起，为市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。性能互补的 GeneSiC 碳化硅功率器件是经过优化的高功率、高电压、高可靠性碳化硅解决方案。重点市场包括移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车、太阳能、风力、智能电网和工业市场。纳微半导体拥有超过 185 项已经获颁或正在申请中的专利，其中，氮化镓功率芯片已发货超过 7500 万颗，碳化硅功率器件发货超 900 万颗。纳微半导体于业内率先推出唯一的氮化镓 20 年质保承诺，也是全球首家获得 CarbonNeutral 认证的半导体公司。
纳微半导体、GaNFast、 GaNSense、GeneSiC 以及纳微标识是 Navitas Semiconductor 及其子公司的商标或注册商标。所有其他品牌、产品名称和标志都是或可能是各自所有者用于标识产品或服务的商标或注册商标。
本文转载并注明其他来源的稿件，是本着为读者传递更多信息的目的，并不意味赞同其观点或证实其内容的真实性。如有疑问，请联系695036288@qq.com。
