Marvell推出全球首款3nm芯片,基于台积电3nm工艺打造

美满电子科技(Marvell Technology)采用台积电 3nm 工艺,制作了高速率、高带宽的芯片间接口模块。在模块在制造过程中借助了包括 112G XSR SerDes (Serializer / Deserializer)、Long Reach SerDes、PCIe Gen 6 / CXL 3.0 SerDes 以及 240 Tbps Parallel Interconnect 等诸多技术。据悉,该产品基于台积电3nm工艺打造。

Marvell推出全球首款3nm芯片,基于台积电3nm工艺打造
据Marvell介绍,其基于台积电3nm的芯片,可用于新产品设计,包括基础IP构建块,112G XSR SerDes(串行器/解串行器)、Long Reach SerDes、PCIe Gen 6 PHY / CXL 3.0 SerDes 和 240 Tbps 并行芯片到芯片互连,用于管理数据基础设施中的数据流。这一3nm平台的生产或开发遵循了Marvell的众多5nm解决方案,跨越了其无与伦比的电光、开关、PHY、计算、5G基带和存储产品组合,以及广泛的定制ASIC程序。具体来说,该IP产品组合与2.5D封装技术兼容,如台积电领先的2.5D CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate)解决方案,并将使Marvell能够为其行业领先的基础设施产品开发一些最先进的multi-die、多芯片封装系统(SiP),并为一些最具挑战性的基础设施用例(如机器学习)优化定制ASIC解决方案。
按照Marvell所说,SerDes 和并行互连在芯片中充当高速通道,用于在chiplet内部的芯片或硅组件之间交换数据。与 2.5D 和 3D 封装一起,这些技术将消除系统级瓶颈,以推进最复杂的半导体设计。
SerDes 还有助于减少引脚、走线和电路板空间,从而降低成本。超大规模数据中心的机架可能包含数以万计的 SerDes 链路。
根据他们提供的数据,新的并行芯片到芯片互连可实现高达 240 Tbps 的聚合数据传输,比多芯片封装应用的可用替代方案快 45%。
换句话说,互连传输速率相当于每秒下载 10,000 部高清电影,尽管距离只有几毫米或更短。
Marvell 将其 SerDes 和互连技术整合到其旗舰硅解决方案中,包括Teralynx开关,PAM4和相干DSP,Alaska 以太网物理层 (PHY)设备,OCTEON处理器,Bravera存储控制器,Brightlane汽车以太网芯片组和定制 ASIC。
而转向 3nm 工艺使工程师能够降低芯片和计算系统的成本和功耗,同时保持信号完整性和性能。

Semipr+:如何看待Marvell推出全球首款3nm芯片?

Marvell推出全球首款3nm芯片是一个非常重要的里程碑,因为这意味着半导体工艺的发展已经迈入了一个新的阶段。3nm工艺比目前市场上最先进的5nm工艺更加先进,可以实现更高的集成度和更低的功耗,从而为未来的高性能计算、人工智能、物联网等应用提供更好的支持。

从市场角度来看,Marvell推出全球首款3nm芯片也表明了该公司在半导体领域的技术实力和创新能力。这将有助于Marvell在竞争激烈的市场中占据更有利的地位,并进一步提升公司的市场份额和盈利能力。

从全球半导体产业发展的角度来看,Marvell推出全球首款3nm芯片也意味着半导体工艺的进步正在加速,这将有助于推动半导体产业的发展,促进新一代技术的应用和普及,从而为人类社会的进步和发展做出更大的贡献。

 

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