联电:14nm良率突破90%,乐观看待半导体长期需求成长

据中国台湾媒体报道,联电董事长洪嘉聪在致股东报告书中指出,今年面临景气起伏调整与地缘政治挑战,联电会持续通过创新、差异化的特殊制程技术、卓越的晶圆制造以及多元区域化的产能配置,达成与客户紧密的策略伙伴关系,在5G、AIoT、电动车等大趋势下,乐观看待半导体长期需求成长。
从长期目标来看,洪嘉聪表示,制程研发和稳定获利一直是联电营运重心,将聚焦具有技术差异化及领先的特殊制程,包括低功耗逻辑、双极-互补金属氧化半导体-双重扩散金属氧化半导体(BCD)、嵌入式高压(eHV)、嵌入式非易失性记忆体(eNVM)、射频绝缘半导体(RFSOI)等。
14nm制程技术方面,目前客户以14FFC平台设计的产品良率已突破90%,性能更满足客户需求,也已成功的导入5G及网通等应用,并且顺利进入量产。
22nm制程部分,与28nm高性能精简型制程技术平台(28HPC)具有相同光罩层数及相容的设计准则,但22nm制程技术性能提升10%、功耗降低20%、晶粒尺寸减少10%,因此,22nm制程技术的成本竞争力大大提升,进而提供客户更多选择。
关于显示器驱动器与功率管理制程技术,22nm高压25V制程技术的LTPO OLED面板驱动芯片产品已完成验证程序,今年进入试产;28nm超低功耗嵌入高压主动矩阵有机发光二极体(AMOLED)显示屏驱动芯片制程技术的开发,也已完成元件模型及设计规范,同样在今年进入试产。
联电强调,集团在化合物半导体领域,主要布局通讯元件与第三类半导体功率元件等利基市场,砷化镓元件部分,针对既有HBT功率放大器持续加入SAWWfilter整合方案,提供手机射频前端模组与WiFi6/7通讯模组整合制造方案。

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