| 5.23日本限制半导体设备出口类型 | |
| 1 | 制造薄膜的设备(限于为使用极紫外线制造集成电路的设备而特别设计的设备) |
| 2 | 处理晶圆的采用步进重复式或步进扫描式的光刻机，满足特定参数性能 |
| 3 | 设计用于对使用极紫外线制造集成电路的设备专用的调合后的抗蚀剂进行涂布、成膜、加热或显影的设备 |
| 4 | 设计用于干法刻蚀的设备，且满足特定参数性能 |
| 5 | 设计用于湿法刻蚀的设备，且满足特定参数性能 |
| 6 | 设计用于各向异性干法刻蚀的设备，且满足特定参数性能 |
| 7 | 半导体制造设备中的成膜设备，满足十项特定参数性能之一 |
| 8 | 设计用于在特定真空状态或情性环境中形成膜层，且满足特定参数性能的设备 |
| 9 | 设计用于在特定真空状态或情性环境中形成膜层，且满足特定参数性能(与上一项参数性能不同)的设备 |
| 10 | 满足特定参数性能，使用有机金属化合物形成钉膜层的设备 |
| 11 | 满足特定参数性能的空间原子层沉积设备 |
| 12 | 在特定温度下成膜的设备，或通过特定方式成膜的设备，且满足特定参数性能 |
| 13 | 设计用于掩膜(仅限为利用极紫外线制造集成电路的设备使用而特别设计的掩膜)的，通过特定方式形成多层反射膜的设备 |
| 14 | 设计用于硅(包括添加了碳的硅)或硅锗(包括添加了碳的硅锗)的外延生长的设备，且满足特定参数性能 |
| 15 | 设计用于通过等离子体形成特定碳硬掩模的设备 |
| 16 | 设计用于通过特定方式形成特定钨膜层的设备 |
| 17 | 设计用于通过特定方式形成特定低介电层，使之不留空隙的设备 |
| 18 | 在特定真空状态下工作的退火设备，且满足特定参数性能 |
| 19 | 设计用于在特定真空状态下除去高分子残留及铜氧化膜，以进行铜的成膜的设备 |
| 20 | 具有多个腔体，设计用于通过千式工艺除去表面氧化物进行前处理的设备，或者设计用于通过干式工艺除去表面污染物的设备 |
| 21 | 具有晶圆表面改性后进行干燥的工艺的枚叶式湿式清洗设备 |
| 22 | 为对使用极紫外线制造集成电路的设备的掩膜板，或该设备的带图形的掩膜进行检查而设计的设备 |
| 23 | 为使用极紫外线制造集成电路的设备而特别设计的薄膜 |
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