英特尔发起反攻，通过创新半导体结构，在“半导体霸主争夺战”中占据上风。它已成功开发和应用从驱动半导体的晶圆背面供电的下一代技术。这在半导体行业尚属首次。英特尔计划将这项技术用于将于明年商业化的 2 纳米工艺半导体。英特尔的战略是通过允许英特尔代工服务客户也使用它来改变半导体行业的格局。
据半导体行业6月6日消息，英特尔已经成功实现了下一代工艺的PowerVia技术，该技术从背面供电。英特尔已经创建并测试了一种使用 PowerVia 的芯片，即 Meteor Lake E 核。结果，核心（计算单元）的速度提高了 6%，解决了封装阶段超过 30% 的电源问题。英特尔还解释说，半导体小型化导致的过热问题在PowerVia测试芯片中得到了显着改善。
供电方式只从晶体管上方发信号，只从下方供电，防止干扰，提高电源效率，甚至半导体性能。三星电子和台积电等主要半导体公司正将其研究重点放在下一代技术上。然而，众所周知，他们仍在为技术实施而苦苦挣扎。台积电的目标是到 2026 年应用这项技术。
英特尔计划在明年上半年采用 PowerVia 作为英特尔 20A（2 纳米级）工艺的一部分。它还计划应用下一代晶体管结构“RibbonFET”。以PowerVia和RibbonFET走在前列，英特尔打算快速追赶台积电和三星电子的先进半导体工艺。英特尔技术开发部副总裁 Ben Sell 对此充满信心，他说：“我们能够领先竞争对手一步将后端电源技术推向市场。这将是实现到 2030 年在单个封装中安装 1 万亿个晶体管的目标的一个重要里程碑。”
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