SK海力士推出全球首款12层堆叠HBM3 DRAM,最高容量24GB

4月20日,SK海力士宣布,再次超越了现有最高性能DRAM(内存)——HBM3*的技术界限,全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片,成功开发出最高容量24GB的HBM3 DRAM新产品,并正在接受客户公司的性能验证。

SK海力士推出全球首款12层堆叠HBM3 DRAM,最高容量24GB

SK海力士表示,公司已向数多全球客户公司提供了24GB HBM3 DRAM样品正在进行性能验证,据悉客户对此产品抱有极大的期待。

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