2023.5.28-6.1日 第35届功率半导体器件和集成电路国际会议

第35届功率半导体器件和集成电路国际会议(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs,ISPSD)将于2023年5月28-6月1日在中国香港举办,这是ISPSD会议举办35年以来第三次在中国大陆召开,第一次是2015年在香港,第二次是2019年在上海。

2023.5.28-6.1日  第35届功率半导体器件和集成电路国际会议
International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs

作为IEEE旗下的功率半导体旗舰会议,ISPSD涵盖了功率半导体器件、功率集成电路、功率集成、工艺、封装和应用等功率半导体领域的所有方面,是功率器件领域最具影响力和规模最大的顶级国际学术会议,也是功率半导体器件和功率集成电路领域技术讨论的首要会议。ISPSD被认为是功率半导体器件和集成电路领域的奥林匹克会议,一直以来都是国内外产业界和学术界争相发表重要成果的舞台。

ISPSD2023会议安排

2023.5.28-6.1日  第35届功率半导体器件和集成电路国际会议
ISPSD2023会议安排

 

短课程安排

5月28日全天安排了七个短课程,涵盖从器件、技术到可靠性和系统应用的七个不同主题。

中国科技大学微电子学院的龙世兵教授将讲授氧化镓垂直功率器件的技术、设计和应用。

2023.5.28-6.1日  第35届功率半导体器件和集成电路国际会议

大会邀请报告

5月29日星期一和5月30日星期二的全体会议上,与会者将听取四位专家的演讲,每个地区一位,分别介绍全球人工智能电力输送的技术趋势、新兴的氧化镓功率器件技术、用于电力系统的宽带隙GaN以及汽车功率模块的发展。

2023.5.28-6.1日  第35届功率半导体器件和集成电路国际会议

论文入选情况

ISPSD2023共收到233篇论文,经过技术委员会评审,共录取104篇,包括口头报告43篇,海报张贴61篇(有一篇取消),实际103篇。

入选的103篇论文来自12个国家的机构,按国家入选数量统计排名(按第一作者所在国家统计),中国是入选论文数量最多的国家,口头报告12篇,海报张贴33篇,共入选45篇论文。日本入选论文数量排名第二,14篇口头报告,8篇海报张贴,共计22篇。美国入选论文数量排名第三,7篇口头报告,3篇海报张贴,共计10篇。德国7篇排名第四,瑞士和意大利以4篇并列第五,法国3篇排名第七,奥地利和加拿大各2篇并列第八,英国、韩国、马来西亚各有1篇,并列第十。

ISPSD2023共有52个机构有论文入选,按机构排名(按第一作者所在机构统计),电子科技大学以15篇高居榜首(其中功率集成技术实验室PITeL入选13篇);三菱电机以6篇排名第二;香港科技大学以5篇居第三;东芝以4篇居第四;北京大学、南方科技大学各有3篇入选,与安森美(ONSEMI)、苏黎世联邦理工学院(ETH)、那不勒斯费德里克二世大学(University of Naples Federico II)、纽约州立大学理工学院(SUNY POLY)并列第五;中国科学院微电子所、中国科技大学、浙江大学、西安电子科技大学、南京大学、东南大学、安徽大学各有2篇入选,与弗吉尼亚理工大学(Virginia Tech)、丰田(Toyota)、英飞凌(Infineon)、日立(Hitachi)、图卢兹大学(Université de Toulouse)、弗劳恩霍夫应用固体物理(Fraunhofer-IAF)并列第十一。其他29家机构论文入选均为1篇。

从论文分布专题来看,氮化镓(GaN)专题有28篇,碳化硅(SiC)专题有25篇,低压功率器件(LVT)专题有14篇,高压功率器件(HV)专题有13篇,模组与封装(PK)专题有12篇,功率集成设计(ICD)专题有11篇。

中国入选论文情况

中国是入选论文数量最多的国家,共入选45篇论文,其中入选口头报告12篇(内地10篇,香港2篇),占比27.91%;入选海报张贴33篇(内地27篇,香港3篇,台湾2篇,澳门1篇),占比54.10%。

2023年中国共有16家机构有论文入选ISPSD,澳门大学和西交-利物浦大学是第一次有论文入选。

电子科技大学共有15篇论文入选,功率集成技术实验室入选(PITeL)13篇,其他2篇来自新器件研究室。

电子科技大学功率集成技术实验室(PITeL)以口头报告4篇,9篇海报论文,合计13篇一作论文入选ISPSD2023,再次摘取团队论文数量第一名!这是团队自2017年以来,第六次(2017年、2018年、2019年、2020年、2022年、2023年)获得一作论文录取数第一名!功率集成技术实验室(PITeL)的13篇论文分布在氮化镓(GaN)专题1篇,高压功率器件(HV)专题4篇,功率集成设计(ICD)专题2篇,低压功率器件(LVT)专题 4篇,碳化硅(SiC)专题2篇;其中涉及氮化镓(GaN)相关研究进展3篇。

电子科技大学新器件研究室2篇海报论文的一作是程骏骥副教授。程骏骥博士在中国科学院院士、IEEE FELLOW陈星弼先生指导下于2012年2013年连续在ISPSD发表2篇论文。

香港科技大学入选2篇口头报告和3篇海报论文,共计5篇入选。其中陈敬教授团队4篇,都是氮化镓(GaN)的相关研究进展;单建安教授团队1篇快恢复二极管(FRD)的相关研究进展。

北京大学有1篇口头报告和2篇海报论文,共计3篇入选,都是氮化镓(GaN)相关论文,是集成电路学院魏进、王茂俊课题组与物理学院沈波、杨学林课题组合作的工作成果。

南方科技大学有1篇口头报告和2篇海报论文,共计3篇入选,都是来自化梦媛课题组的氮化镓(GaN)相关的工作成果。

中国科技大学入选2篇口头报告,1篇是氮化镓(GaN)相关论文,1篇是氧化镓(Ga2O3)相关论文,都来自龙世兵、徐光伟课题组的工作成果。

南京大学入选1篇口头报告和1篇海报论文,共计2篇入选。口头报告是来自陆海课题组氮化镓(GaN)相关的工作成果,海报论文是来自叶建东课题组有关氧化镓(Ga2O3)异质结的工作成果。

西安电子科技大学入选1篇口头报告和1篇海报论文,来自西安电子科技大学微电子学院郝跃院士团队马晓华教授、李园副教授课题组的相关工作成果,分别介绍了增强型氧化镓(β-Ga2O3)金属异质结复合场效应晶体管和热电协同设计的氧化镓(Ga2O3)沟槽二极管的相关研究进展。

安徽大学入选2篇海报论文,1篇是氮化镓(GaN)相关论文,1篇是碳化硅(SiC)相关论文,都是物质科学与信息技术研究院唐曦教授课题组与电气工程与自动化学院胡存刚教授、曹文平教授课题组合作的工作成果。这是安微大学继2022年后连续第二年有论文入选。

东南大学入选2篇海报论文,都来自功率集成技术实验室孙伟锋教授团队,一篇是GaN功率IC,一篇是关于SOI-BCD。

浙江大学入选2篇海报论文,1篇是杨树教授课题组的氮化镓(GaN)的相关研究进展,1篇是盛况教授、任娜研究员课题组碳化硅(SiC)的相关研究进展,都来自电气工程学院。

中国科学院微电子研究所入选2篇海报论文,都来自刘新宇团队黄森、蒋其梦课题组有关氮化镓(GaN)的最新研究成果。,

深圳大学入选1篇海报论文,来自材料学院刘新科研究员团队有关氮化镓(GaN)的最新研究成果。

澳门大学入选1篇海报论文,来自澳门大学模拟与混合信号超大规模集成电路国家重点实验室路延副教授课题组有关功率集成设计(ICD)的最新研究成果。这是澳门大学在ISPSD会议上入选的第一篇论文。

西交利物浦大学入选1篇海报论文,这是西交利物浦大学在ISPSD会议上入选的第一篇论文,来自刘雯副教授团队有关氮化镓(GaN)的最新研究成果。

台湾阳明交通大学国际半导体产业学院入选1篇海报论文是有关氮化镓(GaN)的最新研究成果。

台湾清华大学入选1篇海报论文是关于碳化硅(SiC)的相关研究进展

可惜的是,中国没有一篇论文入选模组与封装(PK)专题。该专题12篇论文来自日本5篇、德国3篇、意大利2篇、瑞士1篇、英国1篇。产业界有4篇有入选模组与封装(PK)专题,其中3篇来自日本,分别是东芝(Toshiba)、三菱电机(Mitsubishi Electric)、罗姆(ROHM),1篇来自德国安世(Nexperia)。

关于氧化物半导体

除了氮化物外,近年来氧化物半导体也备受关注。今年ISPSD论文中有7篇涉及氧化物半导体,包括学术界的5篇论文(西安电子科技大学2篇,中国科技大学1篇,南京大学1篇,弗吉尼亚理工大学1篇),此外还有2篇来自日本产业界,Novel Crystal Technology和Flosfia Inc.都瞄准了车用市场,其中Flosfia Inc.公司的Kengo Takeuchi更是受邀做大会主旨报告。

据中国经济时报报道,在2023中国光谷九峰山论坛暨化合物半导体产业大会上,郝跃院士表示,虽然氧化物半导体离产业化应用还有一定的距离,但已经看到了其前景。与氮化镓和碳化硅相比,氧化物半导体的禁带宽度更宽,可以实现更低的损耗。但氧化物半导体也有弱点,不解决它的散热问题,就不可能实现产业化。

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