Neo 半导体推出 3D X-DRAM,容量明显超过当前的 2D DRAM 解决方案

据媒体报道,总部位于美国的 3D NAND 闪存厂商 Neo Semiconductor 近日推出了 3D X-DRAM 存储芯片,声称是全球首个采用类似于 3D NAND 的 DRAM,其容量明显超过当前的 2D DRAM 解决方案。

3D X-DRAM 存储的首个版本实现了 128 Gb,每个芯片 230 层,密度比目前的 2D DRAM 芯片高 8 倍。

Neo Semiconductor 认为,与其他 3D DRAM 替代方案相比,该解决方案可以更轻松地扩展,并且实施成本更低,使其成为在不久的将来取代 2D DRAM 的可靠候选者。

3D X-DRAM 技术的核心在于创新使用了浮动体单元 (FBC),利用当今成熟的 3D NAND 工艺,只需要一个掩模(mask)即可定义位线孔并在孔内形成单元结构。这种方法可以大大简化 2D DRAM 的生产、实施和过渡。

根据 Neo Semiconductor 的估计,到 2025 年,存储容量可能会翻一番,达到 256 Gb,而十年内可以提供 1 Tb 容量。更多信息将在 2023 年 8 月 9 日的闪存峰会上发布。

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