据业内消息人士7月20日透露，在最近为主要机构投资者和证券分析师举行的私人企业简报（IR）上，SK海力士预计其两条产品线的规模将在2024年增长两倍以上。
由于人工智能需求激增，HBM 和 DDR5 的价格和需求不断增长。垂直连接多个DRAM的高性能内存HBM已知比现有DRAM产品贵5至6倍。最新的 DRAM 标准 DDR5 的价格也比其前身 DDR4 高出 15% 至 20%。
虽然SK海力士的HBM销售比例在数量上还不到1%，但根据销售额增长到10%左右。如果HBM3和DDR5业务规模扩大一倍，则有望加速营收增长和利润改善。鉴于SK海力士今年上半年预计亏损超过6万亿韩元，这被解读为该公司愿意通过高附加值存储器市场实现反弹。
SK海力士副总裁Park Myoung-soo对整体市场增长表示乐观。他预计，AI服务器内存（包括HBM、DDR4和DDR5）在整体服务器内存市场中的份额将从今年的17%增长到五年后的38%，而AI服务器效应带来的新增DRAM需求在未来五年内将累积高达400亿GB。人工智能融入日常生活的最初5年之后，随着需求和使用它的设备的增加，对DRAM市场的影响预计将增长3至5倍。
SK海力士还透露了其下一代产品的具体路线图。他们将第六代HBM产品HBM4的生产目标定为2026年。目前，SK海力士已确定明年上半年为其下一代产品HBM3E的量产时间。从技术上来说，有关于“Mass Rework Molded Underfill”的解释，这是SK海力士开发的第一个封装技术，涉及在芯片上堆叠芯片。SK海力士公开表示，他们将把下一代后处理技术“混合键合”应用于HBM4产品。与现有的“非导电膜”工艺相比，它提高了散热效率并减少了布线长度，从而实现了更高的输入/输出密度。这会将当前的最大 12 层增加到 16 层。
包括SK海力士在内的半导体行业围绕高附加值DRAM的技术和数量竞争预计将日益激烈。三星电子计划于今年年底开始 HBM3 生产，并计划投资数千亿韩元，将忠南天安工厂的 HBM 产能提高一倍。从第四季度开始，三星的HBM3也将供应给目前由SK海力士的HBM垄断的Nvidia。
本文转载并注明其他来源的稿件，是本着为读者传递更多信息的目的，并不意味赞同其观点或证实其内容的真实性。如有疑问，请联系695036288@qq.com。
