半导体外包代工行业领军企业台积电通过收购一家全球极紫外（EUV）光掩模制造公司的股份，加剧了即将推出的 2 纳米（nm）超精细工艺技术的竞争。
据业内消息人士及外媒13日消息，台积电近日召开临时董事会会议，决议收购英特尔旗下奥地利EUV光刻设备光掩模制造商IMS 10%的股权。
台积电此次收购令业界感到意外。IMS在EUV光刻设备光掩模市场占据主导地位，占有98%的份额。英特尔于 2016 年收购了 IMS，并于 2009 年进行了初步投资。去年 6 月，英特尔将其约 20% 的 IMS 股份出售给私募股权公司贝恩资本。
光掩模包含半导体电路的设计。当光穿过光掩模时，图案被蚀刻到硅晶片上。IMS 生产的“多光束掩模刻录机”可以更精确、更快速地生产光掩模，被称为半导体行业的游戏规则改变者。
业内人士甚至表示，如果没有IMS的设备，ASML的EUV光刻设备将变得毫无用处。一位半导体业内人士表示：“这一决定似乎是对ASML下一代光刻设备High-NA EUV的预期。”他指出，“随着光刻设备在亚7纳米超精细工艺中的重要性日益增加，台积电正在超越其现有的技术合作。”
追赶台积电的三星电子曾于2012年斥资约7000亿韩元收购了ASML 3.0%的股份，用于未来光刻机开发合作。2016年，其出售了一半的ASML股份以回收投资，截至今年第二季度末，其仅保留0.7%的股份。
尽管三星减少了在 ASML 的股份，但行业专家认为，两家公司之间的合作关系仍然牢固。据报道，三星电子正准备确保下一代 EUV 光刻设备 High-NA 的产量，预计该设备将于今年晚些时候作为原型发布，并于明年正式供货。SK海力士、台积电和英特尔也有望加入下一代光刻设备的竞争。
另一方面，半导体公司之间关于2纳米工艺的竞争也在不断升级。台积电去年6月宣布，已开始准备2纳米产品的试产，意在保持领先地位。然而，三星电子计划利用其先前开发的 Gate-All-Around 工艺来超越。随着英特尔和Rapidus也加入2纳米竞赛，超精细工艺的竞争预计将非常激烈。
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