中科院GAA晶体管制造工艺取得突破

根据中国科学院10月23日消息,近日中科院微电子研究所先导中心研究员殷华湘团队,在GAA晶体管制造工艺上取得突破。

随着传统鳍形晶体管FinFET技术遇到瓶颈,3nm以下节点采用GAA结构是未来的发展方向。根据官方介绍,GAA晶体管技术需突破N型与P型器件工作电流(Ion)严重失配和阈值电压(Vth)调控困难等挑战。这对纳米片沟道材料和高κ金属栅材料提出了更多的技术创新要求。因此,针对GAA晶体管进行器件结构创新,已成为未来逻辑器件工艺研究的重要方向。

中科院这项成果,改善了GAA晶体管的关键性能,解决了N型与P型器件的电学性能失配问题,有利于我国在3nm以下半导体制成技术方面进一步攻关。

相关研究成果以Investigation of Fabricated CMOS FishboneFETs and TreeFETs With Strained SiGe Nano-Fins on Bulk-Si Substrate为题,发表在《电气和电子工程师协会电子器件快报》(IEEE Electron Device Letters)上。根据官方介绍,这项研究工作得到中国科学院战略性先导科技专项(A类)和国家自然科学基金等的支持。

本文转载并注明其他来源的稿件,是本着为读者传递更多信息的目的,并不意味赞同其观点或证实其内容的真实性。如有疑问,请联系695036288@qq.com。

(0)
IC创客的头像IC创客管理员
上一篇 2023-10-27 17:19
下一篇 2023-10-27 17:31

相关推荐

  • SK海力士开始向Vivo供应最新款移动DRAM芯片

    据报道,近日,韩国芯片制造商SK海力士周一表示,已开始向中国智能手机制造商Vivo供应其最新款移动DRAM芯片。 据悉,SK海力士表示,今年1月开发的16GB低功耗双数据速率5 Turbo (LPDDR5T)封装将与台湾芯片制造商联发科的下一代移动应用处理器(AP)一起安装在Vivo最新的智能手机型号X100和X100 Pro上。 据了解,这是LPDDR5T…

    2023-11-14
    00
  • SK 海力士 DRAM 市场份额超过 30%

    由于生成型人工智能(AI)的蓬勃发展推动了对高带宽内存(HBM)的需求,SK海力士今年第二季度的全球DRAM市场份额突破了30%。它与市场领导者三星电子的差距已达到十年来的最低点。 市场研究公司Omdia 9月3日数据显示,今年第二季度全球DRAM销售额总计107亿美元,同比下降57%,但较第一季度增长15%。 从供应商来看,排名第一的三星电子的 DRAM …

    2023-09-04
    00
  • 证券日报:50家集成电路上市公司披露业绩 仅19家报喜

    3月29日晚间,集成电路供应商紫光国微发布2022年年报,公司报告期内实现营业收入71.2亿元,同比增长33.28%;实现归母净利润26.32亿元,同比增长34.71%。 Choice数据显示,截至3月30日记者发稿,A股市场集成电路板块67家上市公司已有50家公布了2022年年报或业绩快报,其中有19家实现归母净利润同比增长。 东高科技高级投资顾问谢青山在…

  • 云南锗业6英寸SiC(碳化硅)中试生产线建设过程中

    11月10日,云南临沧鑫圆锗业股份有限公司(以下简称云南锗业)在投资者关系平台上答复投资者关心的问题,其中包括6英寸SiC(碳化硅)中试生产线及相关专利。 对于有投资者想了解公司6英寸SiC中试生产线前面是否还有小试生产线,云南锗业表示,上述研发项目前期已完成小试,目前中试线正处于建设过程中。 同时,有投资者对公司6英寸SiC项目相关专利申请及审批情况感兴趣…

    2023-11-15
    00
  • 尚阳通科创板 IPO 申请获受理,主营高性能半导体功率器件

    日前,尚阳通科创板 IPO 申请日前获受理。本次 IPO尚阳通拟募资 17.01 亿元,用于硅功率器件芯片升级迭代及产业化项目、化合物半导体功率器件芯片研发及产业化项目、高压功率模块(含车规级)产品研发及产线建设项目、应用研究中心建设项目及科技与发展储备资金。 招股书显示,公司主营高性能半导体功率器件研发、设计和销售,是国内最早在 12 英寸平台实现超级结 …

    2023-06-01
    00

发表回复

登录后才能评论