根据中国科学院10月23日消息，近日中科院微电子研究所先导中心研究员殷华湘团队，在GAA晶体管制造工艺上取得突破。
随着传统鳍形晶体管FinFET技术遇到瓶颈，3nm以下节点采用GAA结构是未来的发展方向。根据官方介绍，GAA晶体管技术需突破N型与P型器件工作电流（Ion）严重失配和阈值电压（Vth）调控困难等挑战。这对纳米片沟道材料和高κ金属栅材料提出了更多的技术创新要求。因此，针对GAA晶体管进行器件结构创新，已成为未来逻辑器件工艺研究的重要方向。
中科院这项成果，改善了GAA晶体管的关键性能，解决了N型与P型器件的电学性能失配问题，有利于我国在3nm以下半导体制成技术方面进一步攻关。
相关研究成果以Investigation of Fabricated CMOS FishboneFETs and TreeFETs With Strained SiGe Nano-Fins on Bulk-Si Substrate为题，发表在《电气和电子工程师协会电子器件快报》（IEEE Electron Device Letters）上。根据官方介绍，这项研究工作得到中国科学院战略性先导科技专项（A类）和国家自然科学基金等的支持。
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